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IXTR 200N10P
300
250
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Trans conductance
200
150
100
80
60
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
100
50
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 100A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225 250
Q G - nanoCoulombs
Fig. 11. Capacitance
Fig . 1 2 . Fo r w a r d - Bia s
S a f e Op e r a t in g A r e a
100,000
10,000
1,000
f = 1MH z
C is s
C os s
C rs s
1000
100
R D S (o n ) L im it
T J = 1 7 5 o C
T C = 2 5 o C
1 0 0 μs
1m s
10m s
DC
100
10
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D
S
- V o lts
100
1000
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